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led芯片制造主要是为了制造有效---的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间较为小的压降及提供焊线的压垫，led模组，同时尽可能的多地出光。

渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，4pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下bzx79c18变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。

一般所用的p型接触金属包括aube、auzn等合金，n面的接触金属常采用augeni合金。

镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效---的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。

光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在h2或n2的保护下进行。

合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。

当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，uv led模组，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。

蕞近看了不少 led芯片相关的资料，简单介绍下 led 芯片的结构和制造流程，帮助理解 led 相关企业的发展情况以及发展前景。

led 芯片一共包含两部分主要内容，一个是 led 外延片 — 上图中下面的蓝宝石衬底以及衬底上的氮化家（gan）缓冲层；一个是在外延片上面用来发光的量i子阱和 pn 电极层。所以 led 芯片一共涉及三个生产工序：发光外延片生长、芯片生长和制造、芯片封装。

在上面三个工序中，外延片的生长技术含量蕞高、芯片制造次之、而封装又次之。