




led 外延片工艺流程如下:
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- n型gan 层生长- 多量i子阱发光层生- p 型gan 层生长- 退火- 检测(光荧光、x 射线) - 外延片;
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- n 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - p 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下:
固定:将单晶硅棒固定在加工台上。
切片:将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋,产生废水和硅渣。
退火:双工位热氧化炉经氮气吹扫后,用红外加热至300~500℃,硅片表面和氧气发生反应,使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角:将退火的硅片进行修整成圆弧形,防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生,led外延片价格,增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋,led外延片报价,产生废水和硅渣。
分档检测:为---硅片的规格和,对其进行检测。此处会产生废品。
研磨:用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层,有效---单晶硅片的曲度、平坦度与平行度,马鞍山led外延片,达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。
清洗:通过有机i溶剂的溶解作用,结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。
rca清洗:通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
led的芯片数量常识:
同一个led灯,常见的是只采用一个芯片,但物殊情况下可以用两个甚至达到四个芯片,如:一个草帽灯可以用一至两个芯片(考虑到其体积较小,散热不方便导致性能不稳定,一般只采用一两个芯片);一个食人鱼灯可以用一,二,三,四个芯片,我司到的是一个和两个芯片;贴片3528灯可以用一,二,三个芯片(我司常用一,二个芯片),贴片5050/5060一般用到三个芯片。---说明:贴片灯用三个芯片时,有两种情形:
1. 三个芯片的颜色完全相同
2. 三个芯片分别是红,led外延片多少钱,绿,蓝色,即我们常说的rgb灯
led的发光角度常识:
直插式led常见的发光角度是120度,特殊的可以做到45度,或者15度。我司常用的直插式led一般是120度,硅胶灯条采用的是45度;贴片式led一般发光角度为120度。
led的电压 (voltage) 常识:
单个小功率led灯,颜色不同,其要求的电压也不同。红/黄:一般为1.8~2.1伏,白/绿/蓝:一般为3.0~3.6伏。1w大功率灯要求的电压与以上相同。
led的电流 (current) 常识:
1. 小功率的led灯(包括插件式或者贴片式),每个芯片上允许通过的电流一般不要高于20毫安;每个双芯片灯上允许通过的电流一般不高于40毫安;同理每个三芯片灯不要高于60毫安。。。。
2. 大功率led,我司已采用的是1w,其允许通过的电流为150毫安。
led外延片是一块加热至适当温度的衬底基片,材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的led外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
led外延片生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上,气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
led外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的led外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
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