




蕞近看了不少 led芯片相关的资料,简单介绍下 led 芯片的结构和制造流程,帮助理解 led 相关企业的发展情况以及发展前景。
led 芯片一共包含两部分主要内容,led外延片价格,一个是 led 外延片 — 上图中下面的蓝宝石衬底以及衬底上的氮化家(gan)缓冲层;一个是在外延片上面用来发光的量i子阱和 pn 电极层。所以 led 芯片一共涉及三个生产工序:发光外延片生长、芯片生长和制造、芯片封装。
在上面三个工序中,外延片的生长技术含量蕞高、芯片制造次之、而封装又次之。
所谓透明电极一是要能够导电,二是要能够透光。
这种材料现在较为广泛应用在液晶生产工艺中,绍兴led外延片,其名称叫氧化铟锡,英文缩写ito,但它不能作为焊垫使用。
制作时先要在芯片表面做好欧姆电极,然后在表面覆盖一层ito再在ito表面镀一层焊垫。
这样从引线上下来的电流通过ito层均匀分布到各个欧姆接触电极上,同时ito由于折射率处于空气与外延材料折射率之间,可提高出光角度,光通量也可增加。
电子芯片和led芯片有什么主要区别?
1,芯片的裸die尺寸相差不是太大,如cm/mm/0.1mm这个量级,但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路(常说的7nm/10nm工艺),ic设计和制造一样为非常复杂高难度的工程,由此衍生既像intel、三星这样设计制造一体的公司,也有高通、苹果这样的fabless公司及台积电这样的代工厂;而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极,里面的制程可能100um/10um级就够了,制造工艺流程也简单很多,led外延片厂家,从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的led ic设计公司。
2,芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求---,前者可能影响性能,缺陷多了,载流子移动速度上不来,如同一批货,有的能跑2.8ghz频率,有的只能跑2g以下;led芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级(印象中数据),否则---影响发光效率,也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。led技术和产品已有几十年历史,但---使用(如液晶屏幕背光)是这二十年来的事情,材料不行导致发光效率低是首要原因。
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