佛山深紫外led-杰生半导体-深紫外led公司

1、深紫外led灯珠发光机理：pn结的端电压构成一定势垒，深紫外led芯片，当加正向偏置电压时势垒降低，p区和n区的大都载流子向对方分散。因为电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会呈现大量电子向p区分散，构成对p区少量载流子的写入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的方法开释出去。这即是pn结发光的原理。

2、深紫外led灯珠发光功率：通常称为组件的外部量i子功率，其为组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积。所谓组件的内部量i子功率，本来即是组件自身的电光转换功率，深紫外led公司，首要与组件自身的特性（如组件资料的能带、缺点、杂质）、组件的垒晶构成及构造等相关。而组件的取出功率则指的是组件内部产生的光子，在通过组件自身的吸收、折射、反射后，实践在组件外部可测量到的光子数目。因而，对于取出功率的因素包含了组件资料自身的吸收、组件的几许构造、组件及封装资料的折射率差及组件构造的散射特性等。而组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积，即是整个组件的发光作用，也即是组件的外部量i子功率。早期组件开展会集在进步其内部量i子功率，首要办法是通过进步垒晶的及改动垒晶的构造，使电能不易转换成热能，进而直接进步深紫外led灯珠的发光功率，然后可获得70%摆布的理论内部量i子功率，可是这么的内部量i子功率几乎现已挨近理论上的---。

1、深紫外led灯珠电气特性：电流控制型器材，负载特性相似pn结的ui曲线，正导游通电压的级小改变会导致正向电流的很大改变（指数等级），佛山深紫外led，反向漏电流很小，有反向击穿电压。在实践使用中，应选择 。深紫外led灯珠正向电压随温度添加而变小，具有负温度系数。深紫外led灯珠耗费功率 ，一部分转化为光能，这是咱们需求的。剩余的就转化为热能，使结温添加。

2、深紫外led灯珠光学特性：深紫外led灯珠供给的是半宽度很大的单色光，因为半导体的能隙随温度的上升而减小，因而它所发射的峰值波长随温度的上升而添加，即光谱红移，温度系数为+2~3a/ 。深紫外led灯珠发光亮度l与正向电流。电流增大，发光亮度也近似增大。别的发光亮度也与环境温度有关，环境温度高时，复合功率降低，发光强度减小。

3、深紫外led灯珠热学特性：小电流下，led温升不明显。若环境温度较高，深紫外led灯珠的主波长就会红移，亮度会降低，发光均匀性、一致性变差。---点阵、大显示屏的温升对led的---性、稳定性影响更为---。所以散热规划很关键。